ParyleneF是苯环上的4个H原子被F取代,ParyleneF拥有ParyleneHT的耐紫外线,耐高温等优势,派瑞林HT由于其生产工艺的限制,制备效率很低,而ParyleneF则相对来说更具有商业价值。
Parylene F长期使用的温度建议200℃,比parylene C粉和N粉的耐温明显高很多,所以有耐高温要求的产品建议使用parylene F粉镀膜,如测试高温的传感器,在高温环境中工作的机械部件等。
Parylene F的成膜原理
与其它Parylene原料类似,Parylene F薄膜的制备需在的真空涂覆设备上进行,设备主要由升华炉、裂解炉、沉积腔室、冷阱和真空系统几部分组成。成膜过程也包括如下3个步骤:
(1)固体环二体在一定温度下升华为气态环二体;
(2)在较高温度下气态环二体裂解为活性单体自由基;
(3)单体自由基进入沉积腔室后,在基体表面沉积聚合形成均匀无针孔并与物体形状一致的Parylene F薄
Parylene N,聚对二甲苯。将二甲基中的一个氢原子用一个氯原子所取代,就得到Parylene C;将其中两个芳香烃氢原子被氯原子取代,就得到Parylene D;苯环上的4个氢原子被氟取代,即可得Parylene F;而将二甲基上的H原子替换为F原子,就得到HT型Parylene。
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